隨著 NAND 快閃記憶體技術持續演進，對於產品生命週期較長的設備製造商而言，如何在導入新世代儲存技術的同時，維持既有設計的相容性，成為產品更新時的重要考量；Sandisk 於 electronica 2026 宣布推出 SANDISK iNAND CL EM181 嵌入式快閃磁碟（EFD），延續成熟的 e.MMC 介面，並採用新世代 NAND 技術，進一步擴充旗下針對實體 AI 、物聯網（IoT）及嵌入式應用市場的儲存產品陣容。
Sandisk 全球汽車與 IoT 事業部行銷總監 Russell Ruben 表示：「許多 IoT 產品通常會在市場上銷售多年，因此儲存技術的延續性對製造商至關重要。 SANDISK® iNAND® CL EM181 讓客戶能升級至新世代 NAND 技術，同時沿用成熟的 e.MMC 介面，減少既有設計變更。此舉象徵我們持續深耕 e.MMC 市場，布局實體 AI 、 IoT 與嵌入式應用的重要進展。」
提供 64GB 至 256GB 容量，讀取速度達 300MB/s
SANDISK iNAND CL EM181 主要針對需要長期供應與穩定儲存能力的連網設備設計，應用範圍涵蓋機上盒、 OTT 串流裝置、家庭閘道器、智慧電視、智慧家電、智慧監控攝影機，以及資料中心日誌記錄等情境；容量方面提供 64GB 、 128GB 與 256GB 三種選擇，連續讀取速度可達 300MB/s，連續寫入速度則達 225MB/s，滿足不同連網設備的資料儲存與存取需求。
導入 SmartSLC 技術，強化寫入效能與耐寫度
針對頻繁寫入資料的應用需求，SANDISK iNAND CL EM181 導入 Sandisk SmartSLC 技術，透過在 NAND 快閃記憶體內配置 SLC 區塊處理寫入作業，降低寫入放大（Write Amplification）現象，進一步改善寫入效能與耐寫度；此外，產品也支援可自行設定的增強型使用者資料區（Enhanced User Data Area，EUDA），讓製造商能依照不同設備的使用需求配置真正的 SLC 分割區，提供對儲存耐寫度或寫入效能要求較高的應用使用。
統一封裝降低升級門檻，支援多項資料保護機制
為降低新舊世代產品轉換時的整合成本，SANDISK iNAND CL EM181 所有容量版本均採用符合 JEDEC 規範的 11.5mm × 13mm 封裝，使設備製造商在不同世代 iNAND 產品之間進行升級時，能盡可能沿用既有硬體設計，減少主機端修改及重新驗證的工作。產品工作溫度範圍為 -25°C 至 85°C，並整合 LDPC ECC 錯誤校正引擎、自動更新及先進電源保護機制，以維持資料完整性與儲存可靠性；透過相容既有 e.MMC 架構的設計，讓製造商在更新儲存元件時，不必大幅調整原有產品平台。
