聯華電子與 SILITH 今（14）日共同宣布，聯電位於新加坡的晶圓廠已成功交付首批進入量產的矽光子晶圓，這項合作結合了 SILITH 專有的矽光子設計架構，以及聯電的 12 吋絕緣層上覆矽（SOI）晶圓製造與製程整合能力；雙方團隊僅耗時 18 個月，便達成將矽光子平台由開發階段導入量產的目標，本次交付的晶圓主要用於支援 SILITH 每秒 1.6 太位元（1.6T）解決方案，該平台已展現符合量產標準的高良率與高可靠度，並通過全球領先的雲端基礎設施客戶認證，正式投入大規模布建。
瞄準 AI 資料中心與光學 I/O 基礎建設需求
隨著人工智慧快速發展，資料中心與超大規模網路對高速 AI 光互連及光學頻寬的需求急遽上升，SILITH 與聯電建立的這套可擴充矽光子製造平台，提供新世代 AI 網路所需的效能與成本效益；聯電新加坡廠作為 12 吋晶圓製造與技術研發重鎮，加速了這項跨領域複雜技術的量產進程，而該平台的應用範圍涵蓋了可插拔光模組（pluggable optics）、共封裝光學（CPO）以及未來的光學 I/O 架構，滿足市場對大規模基礎設施的建置需求。
技術藍圖邁向每通道 400G 與 TFLN 解決方案
在成功將每通道 200G 矽光子客製化製程商業化之後，雙方正進一步擴展技術藍圖。針對下一代的光互連需求，SILITH 與聯電正合作開發每通道 400G 的純矽光子平台，此平台採用高速馬赫－曾德爾調變器（Mach-Zehnder Modulator, MZM）設計架構，在實現每通道 400G 高速傳輸的同時，仍維持與 CMOS 相容的製程可製造性，確保量產擴展性與成本優勢。
此外，為因應未來超高頻寬的需求，聯電也正與生態系夥伴研發以鈮酸鋰薄膜（TFLN）為基礎的解決方案。
聯電預計 2027 年推出自有 12 吋矽光子平台
在協助 SILITH 首項矽光子產品成功量產的基礎上，聯電規畫將於 2027 年正式提供自有的 12 吋矽光子平台，開放給更多客戶進行產品開發與量產導入；未來，聯電將結合其先進封裝技術，透過矽光子與 TFLN 兩大平台，全面支援共封裝光學（CPO）及光學 I/O 等高度整合架構，持續推動下世代光子應用與 AI 基礎建設的發展。
